기술이전센터에서 보유하고 있는 지재권을 자세히 소개해드립니다
| 기술명 |
유-무기 하이브리드 페로브스카이트를 저항변화층으로 구비하는 저항변화 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
 |
||
| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 최영진 | 나노신소재공학과 |
|
||
| 대표연구분야 | 나노 광소자 | |||
| 출원번호 | 10-2015-0150221 | 등록번호 | 10-1828131 | |
| 출원일 | 2015-10-28 | 등록일 | 2018-02-05 | |
| 특허원문 |
▷본 기술은 비휘발성 메모리소자에 관한것으로, 낮은 제조원가 및 플렉서블 특성을 구현할 수 있는 저항 변화 메모리소자 구현을 목표로 하고 있음.
▷즉, 페로브스카이트 결정구조를 갖는 유기 금속 할라이드를 저항변화층으로 구비하는 저항변화메모리 소자는 용액 공정을 사용하여 저항변화층을 형성할 수 있음에 따라 제조원가를 낮출 수 있음. ▷이와 더불어서, 유기물에 의한 플렉서블 소자의 구현 및 무기물에 의한 안정성 높은 소자의 구현이 가능함 |
|
||
| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 재료 | 기술분야 | 재료·화학 | |
| 적용분야 | 메모리 소자 | |||
| 기술명 | |
|---|---|
|
유-무기 하이브리드 페로브스카이트를 저항변화층으로 구비하는 저항변화 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
|
| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
|
최영진
|
나노신소재공학과 |
| 대표연구분야 | |
| 나노 광소자 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2015-0150221 | 10-1828131 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2015-10-28 | 2018-02-05 |
| 특허원문 | |
|
▷본 기술은 비휘발성 메모리소자에 관한것으로, 낮은 제조원가 및 플렉서블 특성을 구현할 수 있는 저항 변화 메모리소자 구현을 목표로 하고 있음.
▷즉, 페로브스카이트 결정구조를 갖는 유기 금속 할라이드를 저항변화층으로 구비하는 저항변화메모리 소자는 용액 공정을 사용하여 저항변화층을 형성할 수 있음에 따라 제조원가를 낮출 수 있음. ▷이와 더불어서, 유기물에 의한 플렉서블 소자의 구현 및 무기물에 의한 안정성 높은 소자의 구현이 가능함 |
|
|
|
|
| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 재료·화학 | 메모리 소자 |