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기술명

금속-산화막-금속 구조를 갖는 가스 센서 및 이의 동작방법

권리구분 특허
출원인 세종대 산학협력단
대표발명자 이름 소속학과 연구실
김희동 정보통신공학과
대표연구분야 지능형 반도체 소자/공정
출원번호 10-2017-0124024 등록번호 10-1989685
출원일 2017-09-26 등록일 2019-06-10
특허원문 금속-산화막-금속 구조를 갖는 가스 센서를 제공한다. 상기 가스 센서는 하부 전극을 구비한다. 상기 하부 전극 상에 제1 전이금속 산화막이 배치된다. 상기 제1 전이금속 산화막 상에 상기 제1 전이금속 산화막에 비해 트랩밀도가 큰 제2 전이금속 산화막이 배치된다. 상기 제2 전이금속 산화막 상에 상부 전극이 배치된다.
상세기술정보 3 기술명 기술요약
전하트랩을 갖는 산화막을 사용한 가스 센서 ▷전하트랩을 갖는 산화막을 사용하여 전하트랩 내에 산소가 포획되는 양에 따라 산화막에 흐르는 전류의 양이 달라지는 것을 사용하여 산소 농도 측정
▷산소가 포획된 전하트랩을 양측 전극들 사이의 전계 인가에 의해 빠르게 재생 가능
관련동영상
기술분류(대) 전기전자 기술분야 전기·전자
적용분야 산소가스센서
기술명

금속-산화막-금속 구조를 갖는 가스 센서 및 이의 동작방법

권리구분 출원인
특허 세종대 산학협력단
대표발명자
이름 소속학과
김희동 정보통신공학과
대표연구분야
지능형 반도체 소자/공정
출원번호 등록번호
10-2017-0124024 10-1989685
출원일 등록일
2017-09-26 2019-06-10
특허원문
금속-산화막-금속 구조를 갖는 가스 센서를 제공한다. 상기 가스 센서는 하부 전극을 구비한다. 상기 하부 전극 상에 제1 전이금속 산화막이 배치된다. 상기 제1 전이금속 산화막 상에 상기 제1 전이금속 산화막에 비해 트랩밀도가 큰 제2 전이금속 산화막이 배치된다. 상기 제2 전이금속 산화막 상에 상부 전극이 배치된다.
상세기술정보
기술명 기술요약
전하트랩을 갖는 산화막을 사용한 가스 센서 ▷전하트랩을 갖는 산화막을 사용하여 전하트랩 내에 산소가 포획되는 양에 따라 산화막에 흐르는 전류의 양이 달라지는 것을 사용하여 산소 농도 측정
▷산소가 포획된 전하트랩을 양측 전극들 사이의 전계 인가에 의해 빠르게 재생 가능
기술분야 적용분야
전기·전자 산소가스센서