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| 기술명 |
그래핀 희생층을 이용한 에피택시 구조체 및 그 제조 방법 |
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| 권리구분 | 특허 | |||
| 출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
| 대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
| 홍영준 | 나노신소재공학과 |
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| 대표연구분야 | ||||
| 출원번호 | 10-2018-0038706 | 등록번호 | 10-2068322 | |
| 출원일 | 2018-04-03 | 등록일 | 2020-01-14 | |
| 특허원문 |
▷본 발명은 지지 기판과 결정층 사이에 에피택시(Epitaxy) 관계를 가져 기판과 결정층의 결정 특성에 따라 다양한 결정 방향을 갖는 구조물이 형성된 에피택시 구조체를 제공할 수 있다.
▷지지 기판과 그래핀층 사이에 반 데르 발스(van der Waals, vdW) 힘으로 결합되어 구조물의 손상 없이 지지 기판과 그래핀층의 분리가 가능하다. |
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| 상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
| 등록된 자료가 없습니다. | ||||
| 기술분류(대) | 재료 | 기술분야 | 재료·화학 | |
| 적용분야 | 플렉서블 웨어러블 소자의 무기물 반도체 | |||
| 기술명 | |
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그래핀 희생층을 이용한 에피택시 구조체 및 그 제조 방법 |
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| 권리구분 | 출원인 |
| 특허 | 세종대 산학협력단 |
| 대표발명자 | |
| 이름 | 소속학과 |
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홍영준
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나노신소재공학과 |
| 대표연구분야 | |
| 출원번호 | 등록번호 |
| 10-2018-0038706 | 10-2068322 |
| 출원일 | 등록일 |
| 2018-04-03 | 2020-01-14 |
| 특허원문 | |
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▷본 발명은 지지 기판과 결정층 사이에 에피택시(Epitaxy) 관계를 가져 기판과 결정층의 결정 특성에 따라 다양한 결정 방향을 갖는 구조물이 형성된 에피택시 구조체를 제공할 수 있다.
▷지지 기판과 그래핀층 사이에 반 데르 발스(van der Waals, vdW) 힘으로 결합되어 구조물의 손상 없이 지지 기판과 그래핀층의 분리가 가능하다. |
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| 상세기술정보 | |
| 기술명 | 기술요약 |
| 등록된 자료가 없습니다. | |
| 기술분야 | 적용분야 |
| 재료·화학 | 플렉서블 웨어러블 소자의 무기물 반도체 |