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기술명 |
비선형성을 나타내는 강유전체 터널 접합 메모리 소자 및 이를 구비하는 크로스포인트 어레이 |
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권리구분 | 특허 | |||
출원인 | 세종대 산학협력단,부산대학교 산학협력단 | |||
대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
최택집 | 나노신소재공학과 |
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대표연구분야 | 나노미래 전자소재연구실 (NEEDs Lab.) https://www.needs-laboratory.com/ | |||
출원번호 | 10-2020-0014606 | 등록번호 | 10-2287188 | |
출원일 | 2020-02-07 | 등록일 | 2021-08-02 | |
특허원문 | 본 발명은 강유전체 터널링 메모리 소자에 대한 것으로, 소자가 온 상태에 있을 때, 강유전성 터널링층은 다른 영역 대비 높은 농도의 산소공공을 구비하고, 소자에 일 방향의 전압이 인가될 때, 온 상태에서 상기 인가되는 전압의 절대값이 커질 때 전자가 직접 터널링하는 상태와 전자가 FN 터널링하는 상태를 차례로 제공하고, 소자에 상기 일 방향과 반대 방향의 전압이 인가될 때, 상기 소자는 전자가 직접 터널링하는 상태만 제공한다. 집적도 향상, 비선형성 및 온/오프 비가 큰 장점을 가지고 있다. |
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상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
등록된 자료가 없습니다. | ||||
기술분류(대) | 전기전자 | 기술분야 | 전기·전자 | |
적용분야 | 강유전체 터널링 메모리 소자 |
기술명 | |
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비선형성을 나타내는 강유전체 터널 접합 메모리 소자 및 이를 구비하는 크로스포인트 어레이 |
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권리구분 | 출원인 |
특허 | 세종대 산학협력단,부산대학교 산학협력단 |
대표발명자 | |
이름 | 소속학과 |
최택집
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나노신소재공학과 |
대표연구분야 | |
나노미래 전자소재연구실 (NEEDs Lab.) https://www.needs-laboratory.com/ | |
출원번호 | 등록번호 |
10-2020-0014606 | 10-2287188 |
출원일 | 등록일 |
2020-02-07 | 2021-08-02 |
특허원문 | |
본 발명은 강유전체 터널링 메모리 소자에 대한 것으로, 소자가 온 상태에 있을 때, 강유전성 터널링층은 다른 영역 대비 높은 농도의 산소공공을 구비하고, 소자에 일 방향의 전압이 인가될 때, 온 상태에서 상기 인가되는 전압의 절대값이 커질 때 전자가 직접 터널링하는 상태와 전자가 FN 터널링하는 상태를 차례로 제공하고, 소자에 상기 일 방향과 반대 방향의 전압이 인가될 때, 상기 소자는 전자가 직접 터널링하는 상태만 제공한다. 집적도 향상, 비선형성 및 온/오프 비가 큰 장점을 가지고 있다. | |
상세기술정보 | |
기술명 | 기술요약 |
등록된 자료가 없습니다. | |
기술분야 | 적용분야 |
전기·전자 | 강유전체 터널링 메모리 소자 |