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기술명

비선형성을 나타내는 강유전체 터널 접합 메모리 소자 및 이를 구비하는 크로스포인트 어레이

권리구분 특허
출원인 세종대 산학협력단,부산대학교 산학협력단
대표발명자 이름 소속학과 연구실
최택집 나노신소재공학과
대표연구분야 나노미래 전자소재연구실 (NEEDs Lab.) https://www.needs-laboratory.com/
출원번호 10-2020-0014606 등록번호 10-2287188
출원일 2020-02-07 등록일 2021-08-02
특허원문 본 발명은 강유전체 터널링 메모리 소자에 대한 것으로, 소자가 온 상태에 있을 때, 강유전성 터널링층은 다른 영역 대비 높은 농도의 산소공공을 구비하고, 소자에 일 방향의 전압이 인가될 때, 온 상태에서 상기 인가되는 전압의 절대값이 커질 때 전자가 직접 터널링하는 상태와 전자가 FN 터널링하는 상태를 차례로 제공하고, 소자에 상기 일 방향과 반대 방향의 전압이 인가될 때, 상기 소자는 전자가 직접 터널링하는 상태만 제공한다. 집적도 향상, 비선형성 및 온/오프 비가 큰 장점을 가지고 있다.
상세기술정보 1 기술명 기술요약
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기술분류(대) 전기전자 기술분야 전기·전자
적용분야 강유전체 터널링 메모리 소자
기술명

비선형성을 나타내는 강유전체 터널 접합 메모리 소자 및 이를 구비하는 크로스포인트 어레이

권리구분 출원인
특허 세종대 산학협력단,부산대학교 산학협력단
대표발명자
이름 소속학과
최택집 나노신소재공학과
대표연구분야
나노미래 전자소재연구실 (NEEDs Lab.) https://www.needs-laboratory.com/
출원번호 등록번호
10-2020-0014606 10-2287188
출원일 등록일
2020-02-07 2021-08-02
특허원문
본 발명은 강유전체 터널링 메모리 소자에 대한 것으로, 소자가 온 상태에 있을 때, 강유전성 터널링층은 다른 영역 대비 높은 농도의 산소공공을 구비하고, 소자에 일 방향의 전압이 인가될 때, 온 상태에서 상기 인가되는 전압의 절대값이 커질 때 전자가 직접 터널링하는 상태와 전자가 FN 터널링하는 상태를 차례로 제공하고, 소자에 상기 일 방향과 반대 방향의 전압이 인가될 때, 상기 소자는 전자가 직접 터널링하는 상태만 제공한다. 집적도 향상, 비선형성 및 온/오프 비가 큰 장점을 가지고 있다.
상세기술정보
기술명 기술요약
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기술분야 적용분야
전기·전자 강유전체 터널링 메모리 소자