기술이전센터에서 보유하고 있는 지재권을 자세히 소개해드립니다
기술명 |
그래핀층 위의 선택적 영역 에피텍시 구조체 및 그 제조 방법 |
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권리구분 | 특허 | |||
출원인 | 세종대 산학협력단 | |||
대표발명자 | 이름 | 소속학과 | 연구실 | |
홍영준 | 나노신소재공학과 |
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대표연구분야 | ||||
출원번호 | 10-2020-0016985 | 등록번호 | 10-2300006 | |
출원일 | 2020-02-12 | 등록일 | 2021-09-02 | |
특허원문 | 다층 그래핀층을 마스크로 이용하여 1-3층의 그래핀층으로 에피택시 성장을 통해 원하는 결정 방향의 반도체 나노 막대를 제조 가능 | |||
상세기술정보 1 | 기술명 | 기술요약 | ||
등록된 자료가 없습니다. | ||||
기술분류(대) | 재료 | 기술분야 | 재료·화학 | |
적용분야 | LED 광원, 반도체 |
기술명 | |
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그래핀층 위의 선택적 영역 에피텍시 구조체 및 그 제조 방법 |
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권리구분 | 출원인 |
특허 | 세종대 산학협력단 |
대표발명자 | |
이름 | 소속학과 |
홍영준
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나노신소재공학과 |
대표연구분야 | |
출원번호 | 등록번호 |
10-2020-0016985 | 10-2300006 |
출원일 | 등록일 |
2020-02-12 | 2021-09-02 |
특허원문 | |
다층 그래핀층을 마스크로 이용하여 1-3층의 그래핀층으로 에피택시 성장을 통해 원하는 결정 방향의 반도체 나노 막대를 제조 가능 | |
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상세기술정보 | |
기술명 | 기술요약 |
등록된 자료가 없습니다. | |
기술분야 | 적용분야 |
재료·화학 | LED 광원, 반도체 |